请教：功放是IGBT技术还是TMOS技术好？

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请教：功放是IGBT技术还是TMOS技术好？
举例介绍下国外知名厂商的功放技术，在技术层次上来对比。仅仅在技术层次上，别的不做深入探讨！
请勿讨论国内几家的技术！请任何人不要作任何评论！

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20世纪70年代末，功率VMOS的诞生实现了功率放大器由线性放大向开关放大的转变。但是较小的电流密度，较高的导通损耗，使得VMOS进一步推广受到了限制
1985年，基于Trench工艺的TMOS的诞生使得导通损耗大为降低，但由于Trench工艺使得金属氧化层的减薄，降低了器件的耐压，使其只能广泛应用于计算机，消费电子等低压环境。同时TMOS并没有改善MOSFET电流密度小的问题
1986年，IGBT的诞生大大提高了电流密度，减小了通态损耗，同时具有MOSFET电压驱动的特点，但由于开关频率一直低于20kHz，只能广泛用于变频器，逆变电源等行业。
1998年，各大知名厂商在第四代IGBT的基础上研发出高速IGBT （大于200kHz） ，使得IGBT在功放中的应用成为现实。
1989年，NPT-IGBT除具有PT-IGBT的优点外，更适合于高频、多模块并联的运行方式，将成为下一代的主流开关器件。

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我们知道，大功率硅整流管和晶闸管出现于２０世纪６０年代；大功率逆变用的晶闸管、巨型功率晶体管（ＧＴＲ）和门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）的生产年代在２０世纪７０年代；功率场效应管（ＭＯＳＦＥＴ）出现于２０世纪８０年代；绝缘栅双极晶体管 （ＩＧＢＴ）则是出现于２０世纪９０年代的器件。这里需要说明的是，功率场效应管由于单极性多子导电，显著地减小了开关时间，所以开关工作频率校高。但是功率场效应管要提高器件阻断电压必须加宽器件的漂移区，结果使器件内阻迅速增大，器件的通态压降增高，通态损耗增大。绝缘栅极双极晶体管（IGBT）在结构上类似于功率场效应管，其不同点在于绝缘栅极双极晶体管是在Ｎ沟道功率场效应管的Ｎ＋基板（漏极）上增加了一个Ｐ＋基板（绝缘栅极双极晶体管的集电极），这一点改进就使得绝缘栅极双极晶体管具有一系列的突出优点：正向偏置，输入阻抗高，导通电阻低，耐压高，安全工作区大以及开关速度高等。
IGBT和FET都有单管和模块两种形式。
使用IGBT模块使得外围器件少，从而提高系统可靠性，IGBT饱和压降小提高模块转换效率。
IGBT模块的电流容量大，提高单个功率模块的功率密度，使得在同样功率输出下，降低功率模块和功率放大器的体积。过载能力强，提高电流波峰系数。在功率放大器功率输出相同情况下，产生更大随机推力。

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目前国内的功放使用的还是MOSFET，应是并联工作性能好。